Système RF d'amplificateur de puissance ultra-large bande C 4-8 GHz 50 W

Cet amplificateur de puissance large bande de 50 W est un module RF hautes performances conçu pour les applications nécessitant une puissance de sortie robuste sur la plage de fréquences de 4 GHz à 8 GHz. Utilisant la technologie avancée GaN (nitrure de gallium), il offre une densité de puissance élevée, un excellent rendement et une linéarité fiable sur une large bande passante instantanée. L'amplificateur est conçu pour la stabilité, la durabilité et des performances constantes dans des environnements exigeants.

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Description du produit

Principales fonctionnalités

Performances à large bande : fonctionne de manière transparente sur tout le spectre de 4 GHz à 8 GHz (bande C) sans avoir besoin de commutation de bande.

Puissance de sortie élevée : fournit une puissance de sortie saturée typique de 50 watts (47 dBm) minimum sur toute la bande.

Gain élevé : présente un gain typique de petit signal de 50 dB (minimum), garantissant une amplification efficace du signal à partir de sources de faible puissance.

Excellente planéité du gain : maintient une planéité de gain supérieure de typiquement ± 1,5 dB sur toute la plage de fréquences pour des performances uniformes.

Haute efficacité : intègre une conception à haute efficacité, atteignant généralement une efficacité de puissance ajoutée (PAE) de 30 %, réduisant ainsi la charge thermique et la consommation d'énergie CC.

Performances linéaires robustes : offre un point de compression élevé de 1 dB (OP1 dB) généralement > 47 dBm, prenant en charge l'amplification linéaire et saturée pour divers schémas de modulation.

Protection et contrôle intégrés : comprend des fonctionnalités de sécurité complètes : protection contre les inversions de tension, arrêt en cas de surchauffe et protection contre les surcharges de sortie/VSWR. Interface analogique standard pour le contrôle de polarisation, l'activation/désactivation (TTL) et la surveillance de l'état.

Gestion thermique : conçu avec un système de refroidissement de plaque de base efficace pour garantir un fonctionnement fiable dans des conditions de pleine charge. Plage de température du boîtier opérationnel : -40°C à +85°C.

Construction robuste : logé dans un boîtier métallique robuste et hermétiquement fermé pour un blindage supérieur et une résilience environnementale, adapté aux applications militaires, aérospatiales et industrielles.

Non.	Description	Symbole	Min.	Tapez	Max.	Unité	Remarque
1.	Fréquence de fonctionnement	PC	4000		8000	MHz
2.	Puissance d'entrée	Épingle		0		dBm
3.	Puissance de sortie CW	Psat	47	48.5	49.5	dBm	Onde continue
4.	Gain de puissance	généraliste	47		49.5	dBm	@ Broche = 0 dBm
5.	Planéité du gain de puissance	△Gp		±1,5		dB	@ Broche = 0 dBm
6.	Petit gain de signal	G	49	50.5	52	dB	@ Pin=-5dBm
7.	Planéité du gain du petit signal	△G		±2		dB	@ Pin=-5dBm
8.	Perte de retour d'entrée	S11		-15		dB
9.	Tension de fonctionnement	Vcc	28	28	32	V
10.	Consommation actuelle	A		6	8	A	@ Poussée = 50 ~ 90 W
11.	Température de travail		-40 ℃ ~ + 50 ℃
12.	Entrée du connecteur RF		SMA, Femme
13.	Sortie du connecteur RF		SMA, Femme
14.	Poids			0.439	0.50	Kilogrammes
15.	LongueurLargeurHauteur		1348022			mm
16.	Puissance d'entrée	PinMax	-5		5	dBm
17.	Définition de l'interface (7W2 Femelle)	VDD	A1	Sol
		GND	A2	28 Vcc
		Sens actuel	1	Tension analogique par rapport au courant du module à 100 mV/A
		Détection de la température	2	Tension analogique par rapport à la température du module à 10 mV/℃
		Activer	3	Activation de l'amplificateur			Activation de l'amplificateur : logique TTL élevée (3,3 V) (Tiré en interne-bas)
		GND	4	Sol
	Dimension hors tout	Note: 1、 Les dimensions hors tout sont à titre de référence uniquement ； 2、 La taille peut être augmentée ou diminuée de manière appropriée en fonction des exigences du client ； 3、 Les positions de l'interface d'entrée, de l'interface de sortie et de l'interface d'alimentation peuvent être modifiées en fonction des besoins réels des clients ;

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